21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者 彭新

國產(chǎn)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）龍頭長(zhǎng)鑫科技IPO獲受理。上海證券交易所網(wǎng)站于2025年12月30日披露，長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司（下稱“長(zhǎng)鑫科技”）科創(chuàng)板IPO上市申請(qǐng)已經(jīng)獲得受理，將發(fā)行不超過106.22億新股，擬募集資金295億元，保薦機(jī)構(gòu)為中金公司和中信建投證券，意味著這家中國最大的DRAM設(shè)計(jì)制造企業(yè)距離上市走出關(guān)鍵一步。

值得注意的是，長(zhǎng)鑫科技IPO是科創(chuàng)板首單獲受理的“預(yù)先審閱”項(xiàng)目。在招股書獲受理的同日，上交所同步披露了兩輪預(yù)先審閱問詢與回復(fù)，顯示監(jiān)管層已先后于2025年11月5日及11月19日發(fā)出問詢。

2025年6月18日，證監(jiān)會(huì)發(fā)布《關(guān)于在科創(chuàng)板設(shè)置科創(chuàng)成長(zhǎng)層增強(qiáng)制度包容性適應(yīng)性的意見》，首次明確提出試點(diǎn)IPO預(yù)先審閱機(jī)制。該制度可保護(hù)信息與技術(shù)安全，滿足關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)企業(yè)訴求，減少上市“曝光”時(shí)間，避免過早披露敏感信息引發(fā)經(jīng)營與競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn) 。正式申報(bào)時(shí)同步披露預(yù)審問詢回復(fù)，壓縮審核周期，提高申報(bào)文件質(zhì)量 。

科創(chuàng)板第二大IPO

從募資規(guī)模來看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)IPO有望成為科創(chuàng)板開板以來募資規(guī)模第二大的IPO，僅次于2020年上市的中芯國際募資532.3億元。此次募資，130億元將用于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)二期晶圓制造項(xiàng)目，90億元將用于下一代DRAM前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項(xiàng)目，75億元將用存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)改造項(xiàng)目。

不同于摩爾線程、沐曦等芯片設(shè)計(jì)公司（Fabless）的輕資產(chǎn)模式，長(zhǎng)鑫科技是一家采用IDM（垂直整合制造）模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)企業(yè)，集芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試及產(chǎn)品銷售于一體。公司成立于2016年6月，總部位于安徽合肥。創(chuàng)始人朱一明亦是國內(nèi)存儲(chǔ)芯片上市公司兆易創(chuàng)新（603986.SH）的創(chuàng)始人。

招股書顯示，長(zhǎng)鑫科技目前無控股股東和實(shí)際控制人。截至招股書簽署日，公司第一大股東清輝集電持股21.67%，第二大股東長(zhǎng)鑫集成持股11.71%，其他持股5%以上的股東還包括國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（大基金二期）、合肥集鑫及安徽省投，分別持股8.73%、8.37%及7.91%。此外，阿里、騰訊、招銀國際、人保資本、建信金融、國調(diào)基金、君聯(lián)資本、小米產(chǎn)投等均位列其股東行列。公司的股權(quán)結(jié)構(gòu)較為分散，且前十大股東中多為國資背景或產(chǎn)業(yè)基金，不存在單一持股比例超過50%的股東。

從產(chǎn)品進(jìn)展來看，長(zhǎng)鑫科技在成立后的九年間采取“跳代研發(fā)”策略，連續(xù)推出了四代工藝技術(shù)平臺(tái)。招股書披露，目前公司已完成從DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的產(chǎn)品覆蓋和迭代。其中，長(zhǎng)鑫科技發(fā)布的LPDDR5X產(chǎn)品最高速率達(dá)到10667Mbps，較上一代提升66%；首款國產(chǎn)DDR5產(chǎn)品速率高達(dá)8000Mbps。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦及智能汽車等領(lǐng)域。

A股市場(chǎng)存儲(chǔ)芯片第一股

根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，按2024年產(chǎn)能和出貨量計(jì)算，長(zhǎng)鑫科技已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。2025年第二季度，長(zhǎng)鑫科技的全球市場(chǎng)份額增至3.97%。盡管如此，長(zhǎng)鑫科技與全球前三大存儲(chǔ)芯片巨頭——三星電子、SK海力士和美光科技相比仍有差距。數(shù)據(jù)顯示，2024年三星電子、SK海力士、美光科技的市場(chǎng)占有率分別為40.35%、33.19%和20.73%，三家合計(jì)占據(jù)了全球90%以上的市場(chǎng)份額。

據(jù)招股書，長(zhǎng)鑫科技在合肥、北京兩地共有3座12英寸DRAM晶圓廠。產(chǎn)能方面，報(bào)告期內(nèi)，整體產(chǎn)能和產(chǎn)量快速增長(zhǎng)，產(chǎn)能利用率穩(wěn)步提升，各期產(chǎn)能利用率分別為85.45%、87.06%、92.46%和94.63%。產(chǎn)銷量方面，公司主要DRAM產(chǎn)品包括DDR系列及LPDDR系列產(chǎn)品，報(bào)告期內(nèi)，公司主要DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)量和銷量實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)，按容量口徑統(tǒng)計(jì)的產(chǎn)銷率分別為98.29%、99.45%、97.94%和89.30%。

隨著產(chǎn)能釋放和市場(chǎng)拓展，長(zhǎng)鑫科技的營收呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。2022年至2024年，公司營業(yè)收入分別為82.87億元、90.87億元和241.78億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)70.81%。2025年1-9月，長(zhǎng)鑫科技營收進(jìn)一步增至320.84億元，同比增長(zhǎng)97.79%。

憑借近300億元的募集資金規(guī)模以及在DRAM領(lǐng)域的龍頭地位，長(zhǎng)鑫科技若成功登陸科創(chuàng)板 ，將有望成為A股市場(chǎng)的存儲(chǔ)芯片第一股。

高額研發(fā)投入是長(zhǎng)鑫科技保持技術(shù)和市場(chǎng)追趕的核心動(dòng)力。2022年至2024年，長(zhǎng)鑫科技研發(fā)投入分別為41.95億元、46.70億元和63.41億元，三年累計(jì)研發(fā)投入達(dá)152.07億元，占三年累計(jì)營業(yè)收入的比例為36.60%。截至2025年6月30日，公司擁有研發(fā)人員4653人，占員工總數(shù)的比例超過30%。

然而，受DRAM行業(yè)高強(qiáng)度的重資產(chǎn)投入及行業(yè)周期下行影響，長(zhǎng)鑫科技在報(bào)告期內(nèi)尚未實(shí)現(xiàn)盈利。2022年至2024年，公司歸屬于母公司所有者的凈虧損分別為83.28億元、163.40億元和71.45億元。尤其在2023年，受行業(yè)深度下行周期影響，DRAM產(chǎn)品價(jià)格大幅下滑，導(dǎo)致公司存貨跌價(jià)損失計(jì)提增加，虧損幅度擴(kuò)大。

不過，這一局面正在好轉(zhuǎn)。招股書披露的2025年全年業(yè)績(jī)預(yù)計(jì)顯示，受益于DRAM市場(chǎng)回暖、產(chǎn)品價(jià)格上漲及產(chǎn)能規(guī)模提升，長(zhǎng)鑫科技2025年1-9月營收達(dá)320.84億元，同比增長(zhǎng)97.79%，預(yù)計(jì)2025年度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入550億元至580億元，同比增長(zhǎng)127.48%至139.89%；預(yù)計(jì)凈利潤(rùn)將實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，達(dá)到20億元至35億元。這標(biāo)志著這家國產(chǎn)存儲(chǔ)巨頭即將跨越盈虧平衡點(diǎn)，進(jìn)入盈利階段。

關(guān)于市場(chǎng)關(guān)注的盈利時(shí)間表，長(zhǎng)鑫科技預(yù)計(jì)將在2026年或2027年迎來扭虧為盈拐點(diǎn)。其中，2026年能否率先實(shí)現(xiàn)盈利，將直接取決于未來的量?jī)r(jià)表現(xiàn)。長(zhǎng)鑫科技測(cè)算顯示，在謹(jǐn)慎性預(yù)測(cè)下，若產(chǎn)品均價(jià)能維持在略低于2025年9月的水平且出貨量隨產(chǎn)能順利爬坡，公司有望在2026年當(dāng)年實(shí)現(xiàn)盈利；反之，若平均單價(jià)或出貨量不及預(yù)期，盈利節(jié)點(diǎn)或?qū)⑼坪蟆２贿^，當(dāng)前的市場(chǎng)信號(hào)已十分積極：隨著DRAM行業(yè)回暖，長(zhǎng)鑫科技盈利能力顯著修復(fù)，2025年第三季度主營業(yè)務(wù)毛利率已突破30%，較2023年的-1.93%實(shí)現(xiàn)了大幅改善，為后續(xù)業(yè)績(jī)釋放奠定了基礎(chǔ)。

國產(chǎn)存儲(chǔ)迎來關(guān)鍵窗口期

長(zhǎng)鑫科技在招股書中將國際貿(mào)易摩擦列為主要風(fēng)險(xiǎn)之一。DRAM行業(yè)對(duì)先進(jìn)設(shè)備和材料的依賴度極高。近年來，美國政府不斷升級(jí)對(duì)華半導(dǎo)體出口管制，限制中國企業(yè)獲取制造18納米及以下制程DRAM所需的設(shè)備。招股書稱，若短期內(nèi)相關(guān)國家進(jìn)一步加強(qiáng)限制政策，可能導(dǎo)致公司面臨產(chǎn)業(yè)鏈不穩(wěn)定的風(fēng)險(xiǎn)。為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，長(zhǎng)鑫科技表示將通過募投項(xiàng)目的實(shí)施，開展本土及新型設(shè)備、材料、零部件的驗(yàn)證開發(fā)，推動(dòng)供應(yīng)鏈的本土化和多元化，增強(qiáng)抗風(fēng)險(xiǎn)能力。

針對(duì)供應(yīng)鏈安全問題，長(zhǎng)鑫科技在問詢回復(fù)中透露，報(bào)告期內(nèi)持續(xù)推動(dòng)原材料及設(shè)備的多元化驗(yàn)證，相關(guān)供應(yīng)商的采購金額及占比整體顯著提升。面對(duì)國際貿(mào)易摩擦加劇的外部環(huán)境，長(zhǎng)鑫科技表示，將利用募投項(xiàng)目進(jìn)一步加速本土及新型設(shè)備、材料的驗(yàn)證開發(fā)，以構(gòu)筑更具韌性的供應(yīng)鏈體系。

目前，全球DRAM市場(chǎng)正處于從傳統(tǒng)DDR4向DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）轉(zhuǎn)型關(guān)鍵時(shí)期。招股書顯示，本次IPO募集的資金將重點(diǎn)用于先進(jìn)制程的升級(jí)和產(chǎn)能建設(shè)。其中，“DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目”通過技術(shù)改造，將公司工藝技術(shù)平臺(tái)提升至更新一代，以生產(chǎn)更高性能、更低功耗的DRAM產(chǎn)品，從而在與國際巨頭的競(jìng)爭(zhēng)中爭(zhēng)取更有利地位。

相比于邏輯芯片，存儲(chǔ)芯片具有標(biāo)準(zhǔn)化程度高、周期性強(qiáng)特點(diǎn)。在當(dāng)前AI大模型爆發(fā)的背景下，盡管長(zhǎng)鑫科技在HBM等高端存儲(chǔ)領(lǐng)域尚未在招股書中披露相關(guān)信息，但其DRAM產(chǎn)品已切入主流市場(chǎng)。業(yè)界普遍認(rèn)為，隨著國產(chǎn)化替代進(jìn)程的加速和AI算力需求增長(zhǎng)，國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商將在未來數(shù)年內(nèi)迎來關(guān)鍵市場(chǎng)窗口期。